2024年全球高带宽存储器行业发展历程分析 行业已经入快速迭代阶段【组图】
行业主要上市公司:紫光国微(002049)、太极实业(600667)、通富微电(002156)、国芯科技(688262)、长电科技(600584)、华天科技(002185)、晶方科技(603005)、江波龙(301308)等
本文核心数据:行业发展历程;产品发展历程;企业发展历程
1、定义
高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)是易失性存储器的一种。作为全新一代的CPU/GPU内存芯片,HBM本质上是指基于2.5/3D先进封装技术,把多块DRAM堆叠起来后与GPU芯片封装在一起,实现大容量,高位宽的DDR组合阵列。
2、行业发展历程:已进入快速迭代阶段
全球HBM行业发展主要分三个阶段:初始阶段(2013-2014年),HBM全球首款产品出现,标志着HBM技术的商业化起步;发展阶段(2015-2018年),企业加速布局HBM产品,相关标准发布;快速迭代阶段(2019年至今),HBM产品已发展至第五代,芯片容量和带宽快速提升。
3、产品发展历程:当前HBM产品已经发展至第五代
第一代HBM产品由SK海力士于2014年发布,此后每一代HBM的升级更迭,在内存带宽、I/O速率等方面都迎来明显提升,当前HBM已发展至第五代(HBM3e),容量最高可达36GB,内存带宽已提升至1.2TB/s,I/O速率最高可达9.2Gbps。
3、企业布局历程:海力士最早布局HBM行业
第一代HBM产品由SK海力士于2014年发布,2019年海力士成功量产HBM2E,随后三星和美光科技相机宣布量产HBM2E,2024年,海力士与台积电联合开发HBM4,并计划2025年完成开发。
——发展历程总结
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《全球存储器行业市场调研与发展前景预测分析报告》
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